MEMS失效分析
   在MEMS组件上，经常会发生许多的失效模式。以G-Sensor的例子来说，若对组件的可动结构进行失效分析，将有许多要素需要考虑。宜特提供一系列MEMS失效分析手法及失效分析流程后，有效协助客户找出失效点。
    MEMS组件经常出现的失效现象有: 组件的结构与结构间沾黏(Stiction)、结构毁损(Damage)与结构断裂(Crack)等问题，这些失效都将影响MEMS组件的感测能力，甚至 导致MEMS组件故障。因此如何找出MEMS组件的失效点与失效问题，也成为了MEMS组件开发的当务之急。宜特科技特别组成MEMS专业的技术团队，为 客户的MEMS组件进行一系列的失效分析与失效可能原因之查证。
MEMS组件所应用的终端产品相当的广泛，客户也逐渐重视产品可靠度需求。举凡QFN、COB、CSP、WLCSP等封装型式的MEMS组件，因广泛使用 于手持式装置产品，因此可靠度能力更为客户要求。为提供客户进行MEMS组件可靠度评估，宜特亦建置了完整的可靠度实验设备，供客户端进行一系列实验。

   回焊炉 (Reflow Test)
   温度循环试验 (TCT, Temperature Cycling test)
   温度冲击试验 (TST, Thermal Shock test )
   高温贮存试验 (HTST, High Temperature Storage test)
   低温贮存试验 (LTST, Low Temperature Storage test)
   温湿度贮存试验 (THST, Temperature & Humidity Storage test)
   温湿度偏压试验 (THB, Temperature & Humidity with bias test)
   高温水蒸汽压力试验 (PCT, Pressure Cooker test)
   高加速温湿度试验 (HAST, Highly Accelerated Stress test )

     产业技术快速进步，各种新制程、新封装、新型态MEMS组件如雨后春笋般出现，MEMS逆向工程(Reverse Engineering)能将MEMS组件从封装、制程、结构布局、尺寸、材料、制程技术步骤一一解析出来，因此在设计开发、智权(IP)维护、制造成本 分析中日趋重要，深圳华宇晶电子科技有限公司的专业团队拥有领先业界的设备及样品制备技术，其丰富的工程经验可提供各种客制化服务，欢迎洽询。